9月20日，长鑫存储在世界制造业大会上重磅官宣，第五代DRAM技术平台（G5平台）成功实现量产，并同步推出基于该平台研发的大容量LPDDR5X新品。这标志着国产DRAM工艺正式跻身全球第一梯队，为全球存储市场带来供应链新选择。

作为长鑫存储高端存储技术路线上的关键里程碑，G5平台在核心工艺上完成多项突破性创新。

平台采用四重曝光技术，将内存阵列有源区半间距缩小至11.95纳米，达到全球顶尖内存量产节点水平。依托全新工艺流程与新材料方案，存储电容深宽比做到45:1；同时落地DRAM专用高介电常数金属栅HKMG工艺，核心功能区高度压缩至6762纳米。

在研发体系上，长鑫存储打造了专属数字孪生系统，贯穿芯片设计、工艺开发、晶圆制造、产线维护全生命周期。通过虚拟产线搭建先进DRAM工艺模型，大幅加快研发迭代速度。除此之外，界面工程、鞍形鳍式结构、低k间隔层位线等多项底层核心工艺，也取得重要技术突破。

工艺的革新，直接带来产品密度、成本与能效的全面跃升。对比第四代技术平台，G5平台单片晶圆裸片产出数量提升至少50%（按8Gb颗粒基准换算），在能效表现与成本控制上优势突出。

本次同步亮相的两款G5平台LPDDR5X产品，单颗容量24Gb，相比上一代同规格产品容量提升50%，分别采用496Ball、245Ball两种封装形式，可匹配中高端手机、便携消费电子等多元应用场景，目前两款产品已经进入规模量产阶段。

长鑫存储表示，后续将持续紧跟全球市场需求，稳步推进存储技术迭代，持续推出高性能、高可靠性的存储芯片，为全球数字产业筑牢底层存储底座。

注：有源区半间距、深宽比及核心功能区高度为实测数据，存在正常测量偏差；提升比例为长鑫G5平台对比第四代技术平台测算，晶圆裸片产出以8Gb颗粒基准统计。